一种CVD炉用分体式进气管
授权
摘要
本实用新型涉及一种CVD炉用分体式进气管，该分体式进气管包括进气管主体，所述的进气管主体为圆柱筒，进气管主体侧面上端连接有外管，进气管主体内套接有内管并且通过进气管主体上端的快速真空法兰和卡箍与内管固定连接，所述的快速真空法兰设置有密封圈。本实用新型内管通过快速真空法兰与进气管主体连接，快速真空法兰采用聚四氟乙烯密封圈密封，采用卡箍固定快速真空法兰及密封圈，此结构在保证进气管气密性的同时，既方便进气管的组装、拆卸，又方便进气管的内管和外管的清洗，提高了进气管的清洗效率，保证了进气管内部的洁净度，提高了产品质量的稳定性。
基本信息
专利标题 ：
一种CVD炉用分体式进气管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021757958.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-21
授权号 ：
CN213203193U
授权日 ：
2021-05-14
发明人 ：
刘汝强王殿春李晓明吴思华周清波
申请人 ：
山东国晶新材料有限公司
申请人地址 ：
山东省德州市禹城市南环东路88号
代理机构 ：
济南金迪知识产权代理有限公司
代理人 ：
杨磊
优先权 ：
CN202021757958.2
主分类号 ：
C23C16/455
IPC分类号 ：
C23C16/455
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2021-05-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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