一种局部放电特高频传感器
授权
摘要
本实用新型公开了一种局部放电特高频传感器，包括安装基板、振子贴片和谐振空腔，其中安装基板包括一侧平整的安装面，振子贴片设置于安装基板的安装面上，谐振空腔设置于安装基板的内部，本实用新型提供的局部放电特高频传感器内部设有谐振空腔，能够抑制表面波的产生，从而能够抑制因表面波引起的辐射方式的劣化，降低电波干扰，通过辐射电极和谐振空腔的耦合，扩大振子贴片的宽度，空腔底部和侧壁设有金属反射板，从而产生电抗分量，能够避免因设置空腔而有可能导致的频带变窄。
基本信息
专利标题 ：
一种局部放电特高频传感器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021808017.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-26
授权号 ：
CN213337876U
授权日 ：
2021-06-01
发明人 ：
王红斌方健杨帆莫文雄王勇覃煜何治安毕炳昌何嘉兴黄柏
申请人 ：
广东电网有限责任公司广州供电局
申请人地址 ：
广东省广州市天河区天河南二路2号
代理机构 ：
南京禹为知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
王晓东
优先权 ：
CN202021808017.7
主分类号 ：
G01R31/12
IPC分类号 ：
G01R31/12 G01R1/02 G01R1/04
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/12
•测试介电强度或击穿电压
法律状态
2021-06-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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