一种电阻炉坩埚用的同心度调节装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种电阻炉坩埚用的同心度调节装置,包括固定座、第一移动座和第二移动座,所述第一移动座设置在所述固定座与所述第二移动座之间,且所述第一移动座的运动方向与所述第二移动座的运动方向互相垂直,所述固定座与所述第一移动座之间通过第一调节组件相连,所述第一移动座与所述第二移动座之间通过第二调节组件相连。本装置设置在埚托杆与升降台之间,固定座与升降台固定连接,埚托杆的下端固定在第二移动座上,固定座与第一移动座之间实现前后调节,第一移动座与第二移动座之间实现左右调节,这样可以使埚托杆的中心与籽晶杆中心达到同心的目的,确保籽晶下种时在坩埚的中心位置,从而保证引晶成功。
基本信息
专利标题 :
一种电阻炉坩埚用的同心度调节装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202022031807.5
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-09-16
授权号 :
CN213266781U
授权日 :
2021-05-25
发明人 :
刘刚郑涛
申请人 :
成都晶九科技有限公司
申请人地址 :
四川省成都市高新区高新西区西区大道199号B1幢
代理机构 :
成都厚为专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
杨琪
优先权 :
CN202022031807.5
主分类号 :
C30B15/00
IPC分类号 :
C30B15/00
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
法律状态
2021-05-25 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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