用于悬浮坩埚的调节支架以及坩埚套装
授权
摘要
本实用新型提供的一种用于悬浮坩埚的调节支架以及坩埚套装,涉及锗单晶生长技术领域,包括:坩埚套;至少两个支撑杆;支撑杆的一端通过伸缩结构安装在坩埚套的外部,以能够沿着支撑杆的长度方向相对于坩埚套伸缩。基于上述技术方案,随着锗单晶的生长悬浮坩埚内腔的熔体会减少,由于支撑架与外坩埚的内侧壁相抵接但不连接,所以悬浮坩埚能够继续通过浮力作用而悬浮在熔体中,并随着熔体的减少悬浮坩埚也会随之下降,从而使外坩埚内的熔体通过悬浮坩埚上的通孔补入至悬浮坩埚的内腔中,保证悬浮坩埚内的熔体深度稳定,使悬浮坩埚内部热场不发生变化,保证锗单晶的生长环境稳定,能够良好的生长。
基本信息
专利标题 :
用于悬浮坩埚的调节支架以及坩埚套装
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201920877424.4
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-06-11
授权号 :
CN210636096U
授权日 :
2020-05-29
发明人 :
王宇冯德伸张嘉亮雷同光张路林泉
申请人 :
北京国晶辉红外光学科技有限公司
申请人地址 :
北京市海淀区北三环中路43号二区
代理机构 :
北京辰权知识产权代理有限公司
代理人 :
佟林松
优先权 :
CN201920877424.4
主分类号 :
C30B29/08
IPC分类号 :
C30B29/08 C30B15/10
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/02
元素
C30B29/08
锗
法律状态
2020-05-29 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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