一种电机控制器主回路的MOSFET上电预充电路
授权
摘要
本实用新型涉及一种电机控制器主回路的MOSFET上电预充电路，其包括包括隔离电路、MOSFET驱动控制电路及可变电流开关；所述MOSFET驱动控制电路分别与隔离电路、可变电流开关电连接；所述隔离电路用于，将预充电压信号进行隔离，将隔离后的预充电压信号发送至所述MOSFET驱动控制电路；所述MOSFET驱动控制电路，用于接收经过可变电流开关的高压电池正极电压及隔离后的预充电压信号，根据所述隔离后的预充电压信号，驱动MOSFET进行上电预充。本实用新型电机控制器主回路的MOSFET上电预充电路，降低了上电预充电路的成本、体积及重量。
基本信息
专利标题 ：
一种电机控制器主回路的MOSFET上电预充电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022034712.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-16
授权号 ：
CN213243812U
授权日 ：
2021-05-18
发明人 ：
王红杜朝晖徐伟佘斌杨龙博
申请人 ：
武汉嘉晨汽车技术有限公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市经济开发区车城大道234号
代理机构 ：
武汉智嘉联合知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
丁倩
优先权 ：
CN202022034712.9
主分类号 ：
H02M1/36
IPC分类号 ：
H02M1/36 H02H9/02 H02H3/08 H02H5/04 H03K17/567 B60L15/20 B60L3/00
法律状态
2021-05-18 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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