硅芯定位搭接装置
授权
摘要

本实用新型公开了硅芯定位搭接装置,包括控制器,所述控制器的上端连接有导线,所述导线的下端安装有光电传感器,所述光电传感器外杆壁的上端套接有第一连接件,所述第一连接件的前端连接于气动平行夹的后端面,所述气动平行夹下端的左右两侧均安装有滑动块,所述气动平行夹后端面的上侧安装有第一安装板,本实用新型提供的硅芯定位搭接装置设置的竖凸型硅芯的凸出部分能够完美的卡合并连接在横凹型硅芯凹槽内,两者有良好的接触面,可以避免因为接触不良出现局部温度过高,而且这种竖凸型硅芯和横凹型硅芯的搭接方式可以互相卡住支撑定位,可以构成稳定的导电回路。

基本信息
专利标题 :
硅芯定位搭接装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202022041929.2
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-09-17
授权号 :
CN211897170U
授权日 :
2020-11-10
发明人 :
金胜薛建云施红亮邱风
申请人 :
新疆登博新能源有限公司
申请人地址 :
新疆维吾尔自治区昌吉回族自治州昌吉市高新技术产业开发区经五路6号新疆索科斯新材料公司院内(昌高区1丘24栋)
代理机构 :
北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
孟阿妮
优先权 :
CN202022041929.2
主分类号 :
C30B33/06
IPC分类号 :
C30B33/06  C30B29/06  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B33/00
单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的后处理
C30B33/06
晶体的接合
法律状态
2020-11-10 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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