一种具有纳米夹层的氮化铝成核层结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种具有纳米夹层的氮化铝成核层结构，包括至少三层的氮化铝层和至少两层的纳米夹层，氮化铝层的层数大于纳米夹层的层数，氮化铝层和纳米夹层依次层叠且间隔分布，纳米夹层为AlGaN层和/或GaN层，纳米夹层的厚度范围为1‑10nm。本实用新型利用纳米夹层的界面应力变化，可以使穿透位错倾斜发生位错湮灭，起到过滤位错作用生长高质量AlN成核层，从而减小缓冲层厚度，改善器件电性。
基本信息
专利标题 ：
一种具有纳米夹层的氮化铝成核层结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022058617.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-18
授权号 ：
CN213150800U
授权日 ：
2021-05-07
发明人 ：
林志东房育涛叶念慈张恺玄
申请人 ：
厦门市三安集成电路有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道753-799号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202022058617.2
主分类号 ：
H01L33/24
IPC分类号 ：
H01L33/24 H01L33/32 H01L33/06
法律状态
2021-05-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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