一种局部辐射屏蔽结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种局部辐射屏蔽结构，包括上固定块和下固定块，所述下固定块上表面中心处开设有第二凹槽，所述下固定块上表面沿长度方向中线线上位于第二凹槽的两侧开设有两个第一凹槽，且第一凹槽一端延伸到第二凹槽内表壁，所述第一凹槽的另一端延伸到下固定块的外侧，所述上固定块通过固定螺栓固定在下固定块上。本实用新型中，该局部辐射屏蔽结构，通过上固定块和下固定块对带辐射管线局部屏蔽、通过移动块纯化柱进行局部屏蔽，相对于直接用热室屏蔽可减少热室的铅当量，降低热室成本，同时通过热室的保护可提高制药过程的安全性能。
基本信息
专利标题 ：
一种局部辐射屏蔽结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022077186.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-21
授权号 ：
CN213150378U
授权日 ：
2021-05-07
发明人 ：
杜洋丁亨松李想刘起周俊周雪娟
申请人 ：
四川启源合成科技有限公司
申请人地址 ：
四川省绵阳市游仙经济试验区仙童街1号
代理机构 ：
成都明涛智创专利代理有限公司
代理人 ：
杜梦
优先权 ：
CN202022077186.4
主分类号 ：
G21F3/00
IPC分类号 ：
G21F3/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G21
核物理；核工程
G21F
G21FX射线，γ射线、微粒射线或粒子轰击的防护；处理放射性污染材料；及其去污染装置
G21F3/00
以其物理形态或材料的形状为特征的防护物
法律状态
2021-05-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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