一种功率MOS温度冲击试验装置
授权
摘要
本实用新型提供了一种功率MOS温度冲击试验装置，包括试验箱、混合器、控制台、回流机构、高温机构和低温机构，试验箱上安装混合器，试验箱一侧设置控制台，试验箱下端固定连接至回流机构的一端，回流机构的另一端分别固定连接至高温机构的一端、低温机构的一端，高温机构的另一端固定连接至混合器的第一端，低温结构的一端套接至混合器的外围，混合器的第二端安装喷液管，且混合器的内部通过所述喷液管连通至试验箱内部。本实用新型所述的一种功率MOS温度冲击试验装置，加热装置和制冷装置分别储存预定温度的油液，待试验开始后通过控制器调配电磁阀的开度实现设定的冲击温度，冲击效果稳定，试验数据准确。
基本信息
专利标题 ：
一种功率MOS温度冲击试验装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022096852.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-22
授权号 ：
CN212965273U
授权日 ：
2021-04-13
发明人 ：
王壮权
申请人 ：
天津路时科技有限公司
申请人地址 ：
天津市滨海新区高新区华苑产业区桂苑路7号A座四层402-04
代理机构 ：
天津企兴智财知识产权代理有限公司
代理人 ：
苏冲
优先权 ：
CN202022096852.9
主分类号 ：
G01R31/26
IPC分类号 ：
G01R31/26 G01R31/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2021-04-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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