高边驱动器
授权
摘要
本实用新型涉及栅极驱动电路。本实用新型提供一种更简易的电路结构且使用了N沟道MOSFET的栅极驱动电路的高边驱动器。一种对功率半导体开关进行驱动的高边驱动器电路，其具备：主开关N沟道MOSFET，漏极端子连接于电源的正侧Vdc，源极端子连接于对功率半导体开关进行驱动的信号的OUT端子；电荷蓄积电路，从Vdc蓄积电荷；带电压检测功能的开关，检测电荷蓄积电路的输出端子与Vdc的电压差，在检测到电荷蓄积电路的输出端子电压比电源的正侧Vcc的电压高一定电压以上的情况下，向所述主开关N沟道MOSFET的栅极端子施加所述电荷蓄积电路的输出电压的一部分或全部。
基本信息
专利标题 ：
高边驱动器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022132782.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-25
授权号 ：
CN213072610U
授权日 ：
2021-04-27
发明人 ：
小川纮生
申请人 ：
株式会社田村制作所
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
闫小龙
优先权 ：
CN202022132782.8
主分类号 ：
H03K17/687
IPC分类号 ：
H03K17/687
法律状态
2021-04-27 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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