一种窄线宽激光器
授权
摘要
本实用新型提供一种窄线宽激光器，窄线宽激光器包括从下往上外延生长的背电极、InP衬底层、有源区下限制层、InGaAsP有源区、有源区上限制层、InP层和InGaAs接触层，所述InGaAs接触层向下刻蚀有深沟槽阵列，每一个深沟槽的深度穿过所述InGaAsP有源区，所述InGaAs接触层上镀有金属电极。本实用新型采用深刻蚀槽可以减少光经过槽侧面时候的散射损耗，减少腔外损耗，输出线宽较窄，输出光能量密度高。
基本信息
专利标题 ：
一种窄线宽激光器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022214888.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-28
授权号 ：
CN213278692U
授权日 ：
2021-05-25
发明人 ：
鲜青云王任凡
申请人 ：
武汉敏芯半导体股份有限公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区金融港四路18号普天物联网创新研发基地（一期）1栋3层02室03号
代理机构 ：
北京路浩知识产权代理有限公司
代理人 ：
聂俊伟
优先权 ：
CN202022214888.2
主分类号 ：
H01S5/065
IPC分类号 ：
H01S5/065 H01S5/20 H01S5/323
法律状态
2021-05-25 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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