集成超高耐压隔离电容及其控制电路
授权
摘要
本发明实施例提供一种集成超高耐压隔离电容及其控制电路。超高压隔离电容位于硅衬底表面，包括第一极板、第二极板、第一介质、和第二介质。第一介质位于第一硅衬底与第一极板之间，第二介质位于第一极板和第二极板之间。第一介质由一层或多层第一组绝缘介质层堆叠组成，第二介质由一层或多层第二组绝缘介质层堆叠组成。第二组绝缘介质层的总厚度与第二组绝缘介质层厚度与相应介质层介电常数比值之和的比值，大于，第一组绝缘介质层的总厚度与第一组绝缘介质层厚度与相应介质层介电常数比值之和的比值。第一极板与位于硅衬底的控制电路相连，第二极板通过键合线与第二硅衬底耦合。
基本信息
专利标题 ：
集成超高耐压隔离电容及其控制电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022254660.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-12
授权号 ：
CN213304129U
授权日 ：
2021-05-28
发明人 ：
方向明伍荣翔李立松
申请人 ：
重庆线易电子科技有限责任公司
申请人地址 ：
重庆市渝北区仙桃街道数据谷东路19号
代理机构 ：
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
李莎
优先权 ：
CN202022254660.6
主分类号 ：
H01L23/64
IPC分类号 ：
H01L23/64 H01L49/02 H01L23/48
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/58
其他组不包含的，用于半导体器件的电结构装置
H01L23/64
阻抗装置
法律状态
2021-05-28 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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