一种高插损无源EMI滤波器
授权
摘要
本实用新型公开了一种高插损无源EMI滤波器，所述EMI滤波器采用二阶滤波结构，包括第一阶滤波结构和第二阶滤波结构；所述第二阶滤波结构包括共模电感L2；所述EMI滤波器接入电网传入的高频、低频交流信号，并输出至后续设备；所述EMI滤波器为对电网传入的高频、低频交流信号造成的差模噪声和共模噪声进行抑制的装置。本实用新型结构简单、合理，选用铁、钴、镍和硅、磷、硼材质非晶作为电感磁芯，非常规的应用组合，相比传统铁氧体磁芯，同等规格下有效增大电感量，具有良好的高、低频交流噪声抑制作用，降低共模干扰和差模干扰；有效提高10kHz和30MHz频率点的插入损耗，满足CE102和电源线传导发射等试验项目。
基本信息
专利标题 ：
一种高插损无源EMI滤波器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022283197.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-14
授权号 ：
CN212850432U
授权日 ：
2021-03-30
发明人 ：
贺先建梁建蒋维郭兴坤朱建军闫昊何小东
申请人 ：
成都天核科技有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市双流区协和街道长顺大道一段328号201栋1层1号
代理机构 ：
成都行之专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
李朝虎
优先权 ：
CN202022283197.8
主分类号 ：
H03H7/01
IPC分类号 ：
H03H7/01 H03H7/06 H01F17/04 H01F27/24 H01F1/01
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法律状态
2021-03-30 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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