一种高出光率深紫外LED
授权
摘要
本实用新型公开了一种高出光率深紫外LED，包括基板、围坝、透光窗口和深紫外LED芯片，所述围坝设于基板上，所述围坝上开设有深紫外LED芯片放置腔，所述深紫外LED芯片倒装设于深紫外LED芯片放置腔内，所述深紫外LED芯片的背面为发光面，所述深紫外LED芯片的正面设于基板上，所述透光窗口覆盖设于围坝上，所述深紫外LED芯片放置腔内壁为抛光内壁，所述深紫外LED芯片放置腔内壁上镀设有紫外高反射介质膜。本实用新型涉及LED光源技术领域，具体是提供了一种通过光学抛光配合真空镀膜技术，将侧向发出的紫外线能量反射至正面，提高深紫外LED出光效率的高出光率深紫外LED。
基本信息
专利标题 ：
一种高出光率深紫外LED
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022285008.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-14
授权号 ：
CN213782036U
授权日 ：
2021-07-23
发明人 ：
王志涛
申请人 ：
扬州紫王优卫科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省扬州市高新技术产业开发区开发西路217号
代理机构 ：
深圳紫晴专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
陈映辉
优先权 ：
CN202022285008.0
主分类号 ：
H01L33/48
IPC分类号 ：
H01L33/48 H01L33/60
法律状态
2021-07-23 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
