一种抗磁场干扰的铁磁性存储器
授权
摘要
本实用新型涉及存储抗干扰技术领域，尤其是一种抗磁场干扰的铁磁性存储器，经第一MOF材料层、第二MOF材料层、隧道结之间按照三明治结构设计，再将第一导电漆层、铁磁层、第一MOF材料层、第二MOF材料层、隧道结、第二导电漆层采用三明治结构设计，保障了磁性存储器内交换偏置场的形成，优化磁场翻转效果，同时，利用第一导电漆层、第二导电漆层夹心形成三明治结构，避免了外界磁场对磁性存储器内部的磁场影响，保障了磁性存储器数据存取的稳定性与可靠性。
基本信息
专利标题 ：
一种抗磁场干扰的铁磁性存储器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022285693.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-14
授权号 ：
CN212934663U
授权日 ：
2021-04-09
发明人 ：
李洪伟
申请人 ：
遵义师范学院
申请人地址 ：
贵州省遵义市新蒲新区平安大道中段
代理机构 ：
北京栈桥知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
余柯薇
优先权 ：
CN202022285693.7
主分类号 ：
H01L43/08
IPC分类号 ：
H01L43/08 H01L43/10 H01L43/02 H01L23/552 H01L43/12
法律状态
2021-04-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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