一种硅晶片用化学镀容器保温装置
授权
摘要

本实用新型公开了一种硅晶片用化学镀容器保温装置,包括底座,所述底座上端固定安装有转动轴承,所述转动轴承上端套接有伸缩控制器,所述伸缩控制器上端固定连接有伸缩杆,所述伸缩杆右端下部固定连接有支撑杆,所述支撑杆右端固定连接有把手杆,所述伸缩杆左端上部固定连接有密封装置,所述伸缩杆左端下部固定连接有支撑装置,所述支撑装置上端套接有保温筒。本实用新型所述的一种硅晶片用化学镀容器保温装置,通过设置密封装置,可避免放置在保温筒内的化学镀容器中的热量大量的散失,并且保温筒中的导热层和绝热层能够对化学镀容器进行最大限度的保温,使整个装置的保温效果更好,该装置结构简单牢固,实用性强。

基本信息
专利标题 :
一种硅晶片用化学镀容器保温装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202022292114.1
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-10-15
授权号 :
CN213951342U
授权日 :
2021-08-13
发明人 :
冯正怀
申请人 :
晶智(上海)光学仪器设备有限公司
申请人地址 :
上海市嘉定区外冈镇恒冠路518号
代理机构 :
北京艾皮专利代理有限公司
代理人 :
杨克
优先权 :
CN202022292114.1
主分类号 :
C23C18/31
IPC分类号 :
C23C18/31  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18/00
通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆;接触镀
C23C18/16
还原法或置换法,例如无电流镀
C23C18/31
用金属镀覆
法律状态
2021-08-13 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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