一种基于跨导增益负反馈机理的栅源电压扰动抑制电路
授权
摘要
本实用新型提供了一种基于跨导增益负反馈机理的栅源电压扰动抑制电路，用于驱动被驱动功率MOSFET(Q1)，被驱动功率MOSFET(Q1)通过驱动芯片作开关动作，包括一驱动管(Q2)；通过驱动管(Q2)的跨导增益，经过被驱动功率MOSFET(Q1)内部寄生电阻，产生位移电流，对被驱动功率MOSFET(Q1)的寄生输入电容充放电，基于跨导增益构建负反馈调节机制，在外界干扰下，控制栅源电压保持稳定，同时抑制栅源电压正向和负向电压发散振荡。
基本信息
专利标题 ：
一种基于跨导增益负反馈机理的栅源电压扰动抑制电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022294798.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-15
授权号 ：
CN213637483U
授权日 ：
2021-07-06
发明人 ：
邵天骢李志君郑琼林黄波王俊兴
申请人 ：
北京交通大学;泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请人地址 ：
北京市海淀区西直门外上园村3号
代理机构 ：
福州市鼓楼区京华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
王牌
优先权 ：
CN202022294798.9
主分类号 ：
H02M1/32
IPC分类号 ：
H02M1/32 H03F1/34
法律状态
2021-07-06 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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