新型激发电极可变位置离子阱系统
授权
摘要
本实用新型公开了新型激发电极可变位置离子阱系统，包括门电极一、门电极固定座一、阱电极固定座一、镀层极片一、X激发电极一、Y电极一、Y电极二、X激发电极二、镀层极片二、阱电极固定座二、门电极二和门电极固定座二，X激发电极一和X激发电极二相远离一侧分别设有镀层极片一和镀层极片二，镀层极片一的一侧加装有金属镀层一，镀层极片二的一侧加装有金属镀层二，通过改变镀层极片的厚度，来实现X激发电极一、X激发电极二之间相对距离的调整，降低仪器加工难度的同时，实现了拉出距离的灵活调节，同时金属镀层上施加一定的直流电压，对从阱内弹出的离子束进一步聚焦处理，增强仪器灵敏度。
基本信息
专利标题 ：
新型激发电极可变位置离子阱系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022353854.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-21
授权号 ：
CN213459640U
授权日 ：
2021-06-15
发明人 ：
赵高升施月娥
申请人 ：
杭州蔚领知谱检测技术有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市西湖区三墩镇振华路200号瑞鼎大厦2号楼916室
代理机构 ：
北京中南长风知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
郑海
优先权 ：
CN202022353854.1
主分类号 ：
H01J49/42
IPC分类号 ：
H01J49/42
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J49/00
粒子分光仪或粒子分离管
H01J49/26
质谱仪或质量分离管
H01J49/34
动态分光仪
H01J49/42
轨迹稳定型分光仪，如单极的、四极的、多极的、线振质谱仪型的
法律状态
2021-06-15 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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