一种半导体激光熔覆系统
授权
摘要
本实用新型公开了一种半导体激光熔覆系统，包括基座，所述基座的上端面上设有转动槽，所述转动槽内转动连接有转动块，所述转动块远离基座的一侧壁上固定连接有底盘，所述基座的上端面上固定连接有支撑座，所述支撑座位于转动槽的一侧设置，所述支撑座靠近转动槽的一侧壁上固定连接有顶座，所述顶座远离基座设置，所述顶座靠近转动槽的一侧壁上设有滑动槽，所述滑动槽内滑动连接有滑动块，所述滑动块靠近转动槽的一侧壁上固定连接有激光设备，所述滑动块上螺纹贯穿有螺纹杆。本实用新型可以方便的完成半导体元件不同位置上的熔覆工作，极大的满足了用户的不同使用需求。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体激光熔覆系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022371880.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-22
授权号 ：
CN214694371U
授权日 ：
2021-11-12
发明人 ：
杨狄
申请人 ：
无锡市晓晖光电子有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市惠山区玉祁街道南联村蓉南路8号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202022371880.7
主分类号 ：
C23C24/10
IPC分类号 ：
C23C24/10
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C24/00
自无机粉末起始的镀覆（熔融态覆层材料的喷镀入C23C4/00；固渗入C23C8/00-C23C12/00
C23C24/08
加热法或加压加热法的
C23C24/10
覆层中临时形成液相的
法律状态
2021-11-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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