一种半导体激光熔覆系统
授权
摘要
本实用新型涉及激光熔覆技术领域，公开一种半导体激光熔覆系统。所述半导体激光熔覆系统包括熔覆机构、输送机构、半导体激光器和角度调节装置，输送机构将待熔覆物输送至熔覆机构中，半导体激光器发射激光束，该激光束能够加热待熔覆物，熔覆机构将加热的待熔覆物熔焊于工件表面，以达到表面改性的目的。角度调节装置用于调节半导体激光器的角度，包括连接块和可升降的调节组件，连接块转动连接于调节组件上，半导体激光器与连接块球铰接。本实用新型通过调节组件的升降、连接块的转动、半导体激光器的转动，来调节半导体激光器的角度。角度调节装置的设置，可根据工艺的不同要求来调整半导体激光器的角度，结构简单，安装快捷。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体激光熔覆系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921712779.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-14
授权号 ：
CN210506525U
授权日 ：
2020-05-12
发明人 ：
关世阳杨华景吴克强赵振纲王钊陈煦
申请人 ：
华世光电（天津）有限公司
申请人地址 ：
天津市静海县静海经济开发区天宇科技园天宇大道11号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201921712779.4
主分类号 ：
C23C24/10
IPC分类号 ：
C23C24/10
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C24/00
自无机粉末起始的镀覆（熔融态覆层材料的喷镀入C23C4/00；固渗入C23C8/00-C23C12/00
C23C24/08
加热法或加压加热法的
C23C24/10
覆层中临时形成液相的
法律状态
2020-05-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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