一种半导体激光器熔覆工作头
专利权的终止
摘要
本实用新型是一种半导体激光器熔覆工作头，属于半导体激光熔覆领域。包括工作头座体(17)和送粉喷嘴座体(9)、粉末输出喷嘴(6)、粉末输入端口(7)、保护气输入端口(10)、保护气帘(14)、定位销(2)。定位销(2)确保粉末输出喷嘴(6)安装在半导体激光束的快轴方向。送粉喷嘴座体(9)镶嵌安装在工作头座体(17)内，粉末输出喷嘴(6)轴线同激光束中心线成45度，并通过旋转轴(15)同工作头座体(17)连接在一起。保护气帘和保护板避免激光熔覆过程中激光反射能量、熔覆层辐射产生的热能以及熔覆过程中产生的飞溅对半导体激光器的光学器件造成的危害。本实用新型结构紧凑合理，可用于半导体激光熔覆工艺。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体激光器熔覆工作头
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN200720149224.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2007-05-21
授权号 ：
CN201049965Y
授权日 ：
2008-04-23
发明人 ：
左铁钏武强杨武雄王智勇肖荣诗杨胶溪
申请人 ：
北京工业大学
申请人地址 ：
100022北京市朝阳区平乐园100号
代理机构 ：
北京思海天达知识产权代理有限公司
代理人 ：
张慧
优先权 ：
CN200720149224.4
主分类号 ：
C23C24/10
IPC分类号 ：
C23C24/10 B23K26/34
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C24/00
自无机粉末起始的镀覆（熔融态覆层材料的喷镀入C23C4/00；固渗入C23C8/00-C23C12/00
C23C24/08
加热法或加压加热法的
C23C24/10
覆层中临时形成液相的
法律状态
2010-09-01 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101005272152
IPC(主分类) : C23C 24/10
专利号 : ZL2007201492244
申请日 : 20070521
授权公告日 : 20080423
号牌文件序号 : 101005272152
IPC(主分类) : C23C 24/10
专利号 : ZL2007201492244
申请日 : 20070521
授权公告日 : 20080423
2008-04-23 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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