一种SiGe工艺信号放大器尾电流偏置电路
授权
摘要
一种SiGe工艺信号放大器尾电流偏置电路，偏置电流源输出偏置电流的端口连接到三极管Q1的集电极，所述三极管Q1的发射极通过电阻R1后接地，所述三极管Q1的基极连接到三极管Q2的基极，三极管Q2的发射极通过电阻R2后和电阻R1接地端共地，所述三极管Q1基极还通过电容C1后和电阻R2、电阻R1接地端共地；三极管Q2集电极分别连接到两个三极管Q3、Q4的发射极，所述三极管Q3的集电极通过电阻R3后连接电源，所述三极管Q4的集电极通过电阻R4后连接电源，三极管Q3和Q4的基极分别连接一个差分信号输入；所述三极管Q1的集电极通过一个深N阱CMOS模块连接到三极管Q1的基极。
基本信息
专利标题 ：
一种SiGe工艺信号放大器尾电流偏置电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022506031.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-11-03
授权号 ：
CN214751574U
授权日 ：
2021-11-16
发明人 ：
赵欣
申请人 ：
成都明夷电子科技有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市自由贸易试验区成都高新区蜀锦路88号1号楼23楼01号
代理机构 ：
成都君合集专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
尹新路
优先权 ：
CN202022506031.8
主分类号 ：
G05F1/56
IPC分类号 ：
G05F1/56
IPC结构图谱
G
G部——物理
G05
控制；调节
G05F
调节电变量或磁变量的系统
G05F1/00
从系统的输出端检测的一个电量对一个或多个预定值的偏差量并反馈到系统中的一个设备里以便使该检测量恢复到它的一个或多个预定值的自动调节系统，即有回授作用的系统
G05F1/10
调节电压或电流
G05F1/46
其中由末级控制器实际调节的变量是直流的
G05F1/56
利用与负载串联的半导体器件作为末级控制器的
法律状态
2021-11-16 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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