用于使用氟自由基处理工件的方法
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摘要
提供了用氟自由基处理工件的方法。在一个示例实施中，方法包括具有至少一种硅层和至少一种硅锗层的工件。方法可包括在处理腔室中将工件放置在工件支撑件中。方法可包括在等离子体腔室中从工艺气体中生成一种或多种物质。方法可包括过滤一种或多种物质以产生过滤的混合物。方法可包括将工件暴露于过滤的混合物以去除至少一部分的至少一种硅层。
基本信息
专利标题 ：
用于使用氟自由基处理工件的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112771649A
申请号 ：
CN202080005207.1
公开（公告）日 ：
2021-05-07
申请日 ：
2020-08-25
授权号 ：
CN112771649B
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
张祺吕新亮
申请人 ：
玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技股份有限公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京市铸成律师事务所
代理人 ：
闫茂娟
优先权 ：
CN202080005207.1
主分类号 ：
H01L21/3065
IPC分类号 ：
H01L21/3065 H01J37/32
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IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306
化学或电处理，例如电解腐蚀
H01L21/3065
等离子腐蚀；活性离子腐蚀
法律状态
2022-04-19 ：
授权
2021-05-25 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/3065
申请日 : 20200825
申请日 : 20200825
2021-05-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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