使用臭氧气体和氢自由基的工件加工
授权
摘要
提供了一种用于加工工件的方法。该工件可包括钌层和铜层。在一个示例实施方式中，用于加工工件的方法可以包括将工件支撑在工件支撑件上。该方法可以包括在该工件上对该钌层的至少一部分进行臭氧蚀刻工艺。该方法还可包括在工件上进行氢自由基处理工艺，以去除该铜层上的氧化物层的至少一部分。
基本信息
专利标题 ：
使用臭氧气体和氢自由基的工件加工
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113471070A
申请号 ：
CN202110555481.2
公开（公告）日 ：
2021-10-01
申请日 ：
2021-05-21
授权号 ：
CN113471070B
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
张祺杨海春仲華杨晓晅
申请人 ：
北京屹唐半导体科技股份有限公司;玛特森技术公司
申请人地址 ：
北京市大兴区经济技术开发区经海二路28号8幢
代理机构 ：
北京易光知识产权代理有限公司
代理人 ：
崔晓光
优先权 ：
CN202110555481.2
主分类号 ：
H01L21/306
IPC分类号 ：
H01L21/306 H01L21/3065 H01J37/32
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306
化学或电处理，例如电解腐蚀
法律状态
2022-04-12 ：
授权
2021-10-26 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/306
申请日 : 20210521
申请日 : 20210521
2021-10-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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