光电探测器件、探测方法和电子设备
实质审查的生效
摘要

本申请提供一种光电探测器件、探测方法和电子设备,所述光电探测器件包括像素阵列,所述像素阵列中的每个像素包括多个单光子雪崩二极管,所述多个单光子雪崩二极管中至少两个单光子雪崩二极管的灵敏度不同。根据本申请实施例的光电探测器件、探测方法和电子设备包括具有不同灵敏度的单光子雪崩二极管的像素阵列,扩大了单光子雪崩二极管的动态范围,既能实现高灵敏度的特性对弱信号进行探测,又能保证单光子雪崩二极管始终处于非饱和状态实现在强背景光下对信号的探测,解决了单光子雪崩二极管的室外使用问题。

基本信息
专利标题 :
光电探测器件、探测方法和电子设备
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114450565A
申请号 :
CN202080006501.4
公开(公告)日 :
2022-05-06
申请日 :
2020-08-31
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
马亮亮
申请人 :
深圳市大疆创新科技有限公司
申请人地址 :
广东省深圳市南山区高新南区粤兴一道9号香港科大深圳产学研大楼6楼
代理机构 :
北京市磐华律师事务所
代理人 :
高伟
优先权 :
CN202080006501.4
主分类号 :
G01J1/00
IPC分类号 :
G01J1/00  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01J
红外光、可见光、紫外光的强度、速度、光谱成分,偏振、相位或脉冲特性的测量;比色法;辐射高温测定法
G01J1/00
光度测定法,例如照相的曝光表
法律状态
2022-05-24 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01J 1/00
申请日 : 20200831
2022-05-06 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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