用于提高效率的次级受控有源钳位实现方式
公开
摘要
描述了控制次级受控有源钳位转换器中的有源钳位场效应晶体管(FET)。在一个实施方式中，装置包括：耦接至变压器的初级侧FET；耦接至变压器的次级侧FET；以及布置在变压器的初级侧上的有源钳位FET。次级侧控制器被配置成跨电流隔离势垒控制有源钳位FET。
基本信息
专利标题 ：
用于提高效率的次级受控有源钳位实现方式
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114270686A
申请号 ：
CN202080058808.9
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2020-08-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
拉舍德·艾哈迈德哈里翁·拉伊
申请人 ：
赛普拉斯半导体公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘雯鑫
优先权 ：
CN202080058808.9
主分类号 ：
H02M3/335
IPC分类号 ：
H02M3/335 H02M1/08 H02J7/00
法律状态
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
