SRAM低功率写入驱动器
实质审查的生效
摘要
一种存储器设有预充电电路/写入驱动器，该预充电电路/写入驱动器响应于来自数据缓冲器中的主锁存器的主锁存器输出信号，对位线对中的位线进行预充电。在存储器的写入操作期间，时钟控制器防止与主锁存器相关联的从锁存器变为打开。
基本信息
专利标题 ：
SRAM低功率写入驱动器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114450748A
申请号 ：
CN202080068175.X
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2020-09-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
晶昌镐郑春明P·达达博伊
申请人 ：
高通股份有限公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
傅远
优先权 ：
CN202080068175.X
主分类号 ：
G11C11/419
IPC分类号 ：
G11C11/419 G11C29/32 G11C7/10 H03K3/3562
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的，例如：应用多孔磁芯存储器；应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
应用电元件的
G11C11/34
应用半导体器件的
G11C11/40
应用晶体管的
G11C11/41
用正反馈形成单元的，即，不需要刷新或电荷再生的单元。例如，双稳态多谐振荡器或施密特触发器
G11C11/413
辅助电路，例如，用于寻址的、译码的、驱动的、写入的、读出的、定时的或省电的
G11C11/417
用于场效应型存储单元的
G11C11/419
读写电路
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 11/419
申请日 : 20200917
申请日 : 20200917
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
