写入辅助电路
公开
摘要
本发明公开了一种写入辅助电路，包括：延迟电路，具有第一和第二输出端，分别输出第一和第二延迟信号；负压产生模块，第二延迟信号用于为负压产生模块提供正输入电压，第一延迟信号为负压产生模块提供控制信号；在第一延迟信号的控制下，负压产生模块将第二延迟信号转换为写入所需要的第一负电压；至少第一延迟信号的第一延迟时间具有工作电压依赖性,且随着工作电压增加时，第一延迟时间会变小，使负压产生模块提前进行正负电压切换，以避免第一负电压过低而产生电应力。本发明能提供负电压并能防止负电压过低从而防止出现极端电应力，同时还能避免采用钳位电路从而能避免由钳位电路产生的漏电路径，从而能提高能源效率。
基本信息
专利标题 ：
写入辅助电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582392A
申请号 ：
CN202111525893.8
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2021-12-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
赖振安陈俊晟黄召颖
申请人 ：
上海华力集成电路制造有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
郭四华
优先权 ：
CN202111525893.8
主分类号 ：
G11C11/41
IPC分类号 ：
G11C11/41 G11C11/419
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的，例如：应用多孔磁芯存储器；应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
应用电元件的
G11C11/34
应用半导体器件的
G11C11/40
应用晶体管的
G11C11/41
用正反馈形成单元的，即，不需要刷新或电荷再生的单元。例如，双稳态多谐振荡器或施密特触发器
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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