扩展的用于DRAM检测的快速写入电路
专利权的终止
摘要
一种扩展的用于存储器电路中DRAM检测的快速写入电路具有均衡和连接部分，节点连接部分以及写信号处理部分。所构成的快速位线节点结构将所有位线连接起来并通过该快速位线形成一条数据写入通道；因此，DRAM的布局简单而且用于均衡作用的位线的电平稳定性相当可靠。根据本发明，无需使用I/O线，通过位线直接将数据写入每个存储单元。而且有可能在同一时刻快速把数据写入连接到一个所选择的字线上的每个存储单元上。
基本信息
专利标题 ：
扩展的用于DRAM检测的快速写入电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1049742A
申请号 ：
CN90104916.6
公开（公告）日 ：
1991-03-06
申请日 ：
1990-06-09
授权号 ：
CN1015031B
授权日 ：
1991-12-04
发明人 ：
崔勋赵秀仁
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
南朝鲜京畿道水原市
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
马铁良
优先权 ：
CN90104916.6
主分类号 ：
G11C7/00
IPC分类号 ：
G11C7/00 G11C29/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C7/00
数字存储器信息的写入或读出装置
法律状态
2010-09-01 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101005251340
IPC(主分类) : G11C 7/00
专利号 : ZL901049166
申请日 : 19900609
授权公告日 : 19920826
号牌文件序号 : 101005251340
IPC(主分类) : G11C 7/00
专利号 : ZL901049166
申请日 : 19900609
授权公告日 : 19920826
2002-04-24 ：
其他有关事项
1992-08-26 ：
授权
1991-12-04 ：
审定
1991-03-06 ：
公开
1990-12-19 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
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2、
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