一种写辅助装置及其数据写入方法、存储器
实质审查的生效
摘要
本发明实施例公开一种写辅助装置及其数据写入方法、存储器,涉及计算机技术领域,能够改善数据写入效果。所述装置包括:地址比较部,用于对存储器的第一访问地址和第二访问地址进行比较,其中,所述第一访问地址通过所述存储器的第一端口访问,所述第二访问地址通过所述存储器的第二端口访问;辅助写入部,第一端与所述地址比较部相连,第二端与所述第二端口相连,第三端与所述第一端口相连,用于响应于所述第一访问地址中的行地址与所述第二访问地址中的行地址相同,且所述第一访问地址中的列地址与所述第二访问地址中的列地址不同:当通过所述第二端口对所述第二访问地址写入第一数据时,辅助所述第一端口对所述第二访问地址写入所述第一数据。
基本信息
专利标题 :
一种写辅助装置及其数据写入方法、存储器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114496028A
申请号 :
CN202111594946.1
公开(公告)日 :
2022-05-13
申请日 :
2021-12-23
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
陈泽翔姚其爽魏依苒
申请人 :
海光信息技术股份有限公司
申请人地址 :
天津市滨海新区华苑产业区海泰西路18号北2-204工业孵化-3-8
代理机构 :
北京市广友专利事务所有限责任公司
代理人 :
张仲波
优先权 :
CN202111594946.1
主分类号 :
G11C11/419
IPC分类号 :
G11C11/419 G11C8/14 G11C7/18 G11C5/14 G06F12/06
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的,例如:应用多孔磁芯存储器;应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
应用电元件的
G11C11/34
应用半导体器件的
G11C11/40
应用晶体管的
G11C11/41
用正反馈形成单元的,即,不需要刷新或电荷再生的单元。例如,双稳态多谐振荡器或施密特触发器
G11C11/413
辅助电路,例如,用于寻址的、译码的、驱动的、写入的、读出的、定时的或省电的
G11C11/417
用于场效应型存储单元的
G11C11/419
读写电路
法律状态
2022-05-31 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 11/419
申请日 : 20211223
申请日 : 20211223
2022-05-13 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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