用于发射ZENNECK表面波的各向异性本构参数
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摘要
提供了与可以被用于发射Zenneck表面波的各向异性本构参数(ACP)相关的各种示例。在一个示例中，ACP系统包括分布在诸如例如陆地介质之类的介质上方的ACP元件的阵列。ACP元件的阵列可以包括在陆地介质上方以一个或多个朝向定位的径向电阻性人工各向异性电介质(RRAAD)元件的一个或多个水平层。ACP系统可以包括在垂直于一个或多个水平层的第三朝向上分布在陆地介质上方的垂直无损人工各向异性电介质(VLAAD)元件。ACP系统还可以包括分布在陆地介质上方的水平人工各向异性磁导率(HAAMP)元件。ACP元件的阵列可以分布在发射结构周围，发射结构可以用电磁场激励以促进Zenneck表面波的发射。
基本信息
专利标题 ：
用于发射ZENNECK表面波的各向异性本构参数
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114556741A
申请号 ：
CN202080070624.4
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2020-12-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
B.R.吉恩J.D.莉莉B.J.廷林
申请人 ：
CPG技术有限责任公司
申请人地址 ：
美国德克萨斯州
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
张晓明
优先权 ：
CN202080070624.4
主分类号 ：
H02J50/00
IPC分类号 ：
H02J50/00 H02J50/20
法律状态
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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