电阻器几何形状
公开
摘要
提供了一种薄膜电阻器和一种用于制造薄膜电阻器的方法。薄膜电阻器包括第一端子、第二端子以及电阻体，该电阻体在第一端子和第二端子之间提供电阻电流路径，并且该方法包括：将导电材料的第一层沉积到支撑结构和电阻体中的至少一个上，将第一光刻掩膜施加到第一层，并蚀刻第一层以形成第一端子；并且将导电材料的第二层沉积到支撑结构和电阻体中的至少一个上，将第二光刻掩膜施加到第二层，并蚀刻第二层以形成第二端子，其中第一光刻掩膜不同于第二光刻掩膜，并且第一端子和第二端子的横向间距小于第一光刻掩膜和第二光刻掩膜的平面内最小特征尺寸。
基本信息
专利标题 ：
电阻器几何形状
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114556495A
申请号 ：
CN202080071825.6
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2020-08-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
理查德·普赖斯罗伯特·曼
申请人 ：
务实印刷有限公司
申请人地址 ：
英国达勒姆
代理机构 ：
北京品源专利代理有限公司
代理人 ：
谭营营
优先权 ：
CN202080071825.6
主分类号 ：
H01C7/00
IPC分类号 ：
H01C7/00 H01C1/142 H01C17/28 H01L27/13 H01L49/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01C
电阻器
H01C7/00
用一层或多层薄膜或涂敷膜构成的不可调电阻器；由含或不包含绝缘材料的粉末导电材料或粉末半导体材料构成的不可调电阻器
法律状态
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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