低电阻触点互连的方法与设备
公开
摘要
本文提供了用于处理基板的方法。例如，方法包括以下步骤：在基板上的至少一个特征结构内选择性地沉积第一金属层；在第一金属层的顶上且至少在界定至少一个特征结构的侧壁上沉积第二金属层；在第二金属层的顶上并在特征结构内沉积第三金属层，以至少完全填充至少一个特征结构；和移除一些第二金属层或移除一些第二金属层和一些第三金属层，使得第二金属层和第三金属层的剩余部分与至少一个特征结构的顶表面齐平。
基本信息
专利标题 ：
低电阻触点互连的方法与设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114586143A
申请号 ：
CN202080072807.X
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2020-10-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
周春明候文婷斯瑞·兰咖赛·克沙普拉咖大
申请人 ：
应用材料公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京律诚同业知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐金国
优先权 ：
CN202080072807.X
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768 H01L21/285 H01L21/02 C23C28/02 C23C16/56 C23C16/06 C23C16/04 C23C14/16 C23C14/04
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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