半导体装置、固态摄像装置和电子设备
公开
摘要
本发明提供能够抑制因接合过程导致的电容器性能劣化的半导体装置。所述半导体装置包括彼此接合的第一基板和第二基板。第一电极设置于所述第一基板内，且所述第一电极的一个表面与所述第一基板和所述第二基板之间的接合面位于同一面上。第二电极设置于所述第二基板内，所述第二电极的一个表面与所述接合面位于同一面上，且所述第二电极接合至所述第一电极的所述一个表面。所述半导体装置还包括第一电容器和第二电容器中的至少一者，所述第一电容器设置于所述第一基板内，且所述第一电容器的一个电极电气连接到所述第一电极的非露出面，所述第二电容器设置于所述第二基板内，且所述第二电容器的一个电极电气连接到所述第二电极的非露出表面。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置、固态摄像装置和电子设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114586159A
申请号 ：
CN202080073130.1
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2020-09-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
堀越浩
申请人 ：
索尼半导体解决方案公司
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
北京信慧永光知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
陈桂香
优先权 ：
CN202080073130.1
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146 H01L23/64 H04N5/225 H04N5/369 H04N5/3745
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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