一种基于图像的失效ESD器件无损表征方法
授权
摘要
本发明涉及一种基于图像的失效ESD器件无损表征方法，其特点是采用激光扫描或光发射显微技术对失效初期器件进行漏电路径定位，以及X射线显微镜对失效后期ESD器件进行断层扫描和3D重构，基于图像的观测，对失效ESD器件进行全面的无损表征，得到不同失效阶段的原因，以指导器件的优化设计。本发明与现有技术相比具有利用无损的方法得到不同失效阶段的原因，找出器件的可靠性问题和设计存在的薄弱区域，从而达到ESD器件优化的结果，指导器件的优化设计，提高ESD器件的可靠性，有效减少系统成本，降低设计和布线的复杂度，尤其适用系统的研究ESD器件内在运行机制和需要优化的部分，在低压、高压集成电路中具有重要的应用前景。
基本信息
专利标题 ：
一种基于图像的失效ESD器件无损表征方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112908875A
申请号 ：
CN202110029570.3
公开（公告）日 ：
2021-06-04
申请日 ：
2021-01-11
授权号 ：
CN112908875B
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
毕恒昌陈新倩吴幸
申请人 ：
华东师范大学
申请人地址 ：
上海市闵行区东川路500号
代理机构 ：
上海蓝迪专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
徐筱梅
优先权 ：
CN202110029570.3
主分类号 ：
H01L21/66
IPC分类号 ：
H01L21/66
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2022-05-24 ：
授权
2021-06-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/66
申请日 : 20210111
申请日 : 20210111
2021-06-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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