本发明公开的属于氧化铜粉体材料技术领域，具体为一种半导体专用氧化铜粉体材料制备工艺，其技术方案是：包括一种制备方法，具体步骤如下：S1：将铜片放入干燥箱内进行加热干燥，S2：将干燥后的铜片放入破碎箱中进行破碎，S3：铜片经过齿轮螺杆和螺纹铰刀螺杆破碎成碎片，掉落在研磨装置内部的通孔，S4：研磨装置通过驱动装置带动第一粉碎盘和第二粉碎盘转动，对铜片进行粉碎，S5：在研磨装置离心力的作用下，使铜片碎末进入第一粉碎盘和第二粉碎盘内部的通孔，在研磨盘的作用下，将铜片研磨成细小粉末，本发明的有益效果是：达到确保氧化箱内的铜粉体氧化均匀，氧化纯度高的效果，且达到操作简单，使用方便的效果。