一种半导体材料初始解理裂纹长度计算方法
授权
摘要
本发明设计一种半导体材料初始解理裂纹长度计算方法，包括：首先根据半导体材料晶胞结构确定最佳解理晶向，其次计算该晶向关键材料力学参数(弹性模量和泊松比)及断裂韧性，最后结合应力强度因子与断裂韧性公式获得最佳解理晶向初始解理裂纹长度。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体材料初始解理裂纹长度计算方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112861278A
申请号 ：
CN202110051691.8
公开（公告）日 ：
2021-05-28
申请日 ：
2021-01-06
授权号 ：
CN112861278B
授权日 ：
2022-04-15
发明人 ：
高睿姜晨黄鹏辉蒋金鑫郎小虎
申请人 ：
上海理工大学
申请人地址 ：
上海市杨浦区军工路516号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202110051691.8
主分类号 ：
G06F30/17
IPC分类号 ：
G06F30/17 G06F119/14
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算；推算或计数
G06F
电数字数据处理
G06F30/17
机械参量或变量的设计
法律状态
2022-04-15 ：
授权
2021-06-15 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G06F 30/17
申请日 : 20210106
申请日 : 20210106
2021-05-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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