InP基模斑转换器、模斑转换结构及制备方法
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摘要
一种InP基模斑转换器、模斑转换结构及制备方法，该InP基模斑转换器，包括：两层或多层不同组分的InxGa1‑xAsyP1‑y层，形成垂直锥形结构，其中，x满足0＜x＜1，y满足0＜y＜1，各InxGa1‑xAsyP1‑y层具有沿第一方向渐变的折射率分布，所述第一方向为沿所述模斑转换器的模斑尺寸减小的厚度方向。本发明引入具有渐变折射率分布的模斑转换器，制备高度集成、高转换效率模斑转换器，实现小尺寸高效率的模斑转换，实现紧凑转换波导器件，降低封装成本。
基本信息
专利标题 ：
InP基模斑转换器、模斑转换结构及制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112859239A
申请号 ：
CN202110151244.X
公开（公告）日 ：
2021-05-28
申请日 ：
2021-02-03
授权号 ：
CN112859239B
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
王亮何伟蒋忠君张博健
申请人 ：
中国科学技术大学
申请人地址 ：
安徽省合肥市包河区金寨路96号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
吴梦圆
优先权 ：
CN202110151244.X
主分类号 ：
G02B6/14
IPC分类号 ：
G02B6/14 G02B6/13
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02B
光学元件、系统或仪器附注
G02B6/00
光导；包含光导和其他光学元件的装置的结构零部件
G02B6/10
光波导式的
G02B6/14
模式变换器
法律状态
2022-05-17 ：
授权
2021-06-15 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G02B 6/14
申请日 : 20210203
申请日 : 20210203
2021-05-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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