一种应用于毫米波频段的L形宽带宽波束圆极化片上天线
授权
摘要
本发明属于无线通信技术领域，提供一种基于CMOS工艺的应用于毫米波频段的L形宽带宽波束圆极化片上天线，用以解决电磁波传输中的散射问题。本发明包括从下往上依次层叠的接地层1、硅衬底层2、二氧化硅层3及钝化层4，二氧化硅层中设置由分形天线变形形成的L形天线5。本发明中，片上天线能够与CMOS芯片集成，去除了芯片间互连线的影响，使得天线结构更加简单，大大降低制造精度及可靠性的需求，减小了集成的成本，简化了芯片间信号传输的匹配问题，同时极大的节省了系统占用的面积；同时，该片上天线具有宽带宽特性，适用于多个频段的信号传输；并且具有圆极化特性，能够减少极化失配的影响，且在接受信号时去除散射波的影响，消除了多径干扰。
基本信息
专利标题 ：
一种应用于毫米波频段的L形宽带宽波束圆极化片上天线
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112909531A
申请号 ：
CN202110208631.2
公开（公告）日 ：
2021-06-04
申请日 ：
2021-02-24
授权号 ：
CN112909531B
授权日 ：
2022-05-03
发明人 ：
唐红艳官鑫田帅徐文成张吴韵秋余益明康凯
申请人 ：
电子科技大学
申请人地址 ：
四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号
代理机构 ：
电子科技大学专利中心
代理人 ：
甘茂
优先权 ：
CN202110208631.2
主分类号 ：
H01Q1/38
IPC分类号 ：
H01Q1/38 H01Q1/48 H01Q1/50 H01Q15/24 H01Q1/52 H01Q1/22
法律状态
2022-05-03 ：
授权
2021-06-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01Q 1/38
申请日 : 20210224
申请日 : 20210224
2021-06-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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