一种具有高共模噪声抑制能力的LDO和驱动电路
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摘要

一种具有高共模噪声抑制能力的LDO和驱动电路,LDO中第四NPN型三极管、第五NPN型三极管、第六NPN型三极管、第七NPN型三极管和第十一电阻构成LDO的基准核心电路,利用第八NMOS管和第一PNP型三极管完成反馈,从而抑制由共模噪声引起的基准核心电路输出电压的变化导致的LDO输出电压的波动,同时对LDO中调整管的栅源电压也起到稳定调节作用;另外LDO中设置滤波单元,可吸收在高dv/dt下由衬底间耦合电容产生的过量电荷,避免由此导致的器件击穿;本发明尤其适用于磁隔离栅极驱动器,在驱动模块中利用栅源短接的第十五NMOS管NM15断开了地端与数字模拟公共端的直接连接,避免了在高dv/dt下大量电流从LDO以及LDO之前连接的电路直接流向磁隔离栅极驱动器负载的浮动端。

基本信息
专利标题 :
一种具有高共模噪声抑制能力的LDO和驱动电路
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN113037057A
申请号 :
CN202110279474.4
公开(公告)日 :
2021-06-25
申请日 :
2021-03-16
授权号 :
CN113037057B
授权日 :
2022-04-22
发明人 :
卜宁方健
申请人 :
电子科技大学
申请人地址 :
四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
代理机构 :
成都点睛专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
葛启函
优先权 :
CN202110279474.4
主分类号 :
H02M1/08
IPC分类号 :
H02M1/08  H02M1/44  H02M3/158  
法律状态
2022-04-22 :
授权
2022-01-28 :
著录事项变更
IPC(主分类) : H02M 1/08
变更事项 : 发明人
变更前 : 卜宁 方健
变更后 : 方健 卜宁
2021-07-13 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H02M 1/08
申请日 : 20210316
2021-06-25 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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