一种MPCVD金刚石高效合成工艺及其装置
授权
摘要

本发明涉及金刚石技术领域,且公开了一种MPCVD金刚石高效合成工艺及其装置,包括基座、施压机构、输送机构、侧压机构和支撑机构,基座的顶面开设有合成槽,基座在合成槽下方的内部开设有冷却槽,合成槽和冷却槽内设置有输送机构,输送机构包括两个螺旋杆,冷却槽内设置有两个插筒,插筒内壁固定连接有插杆,两个螺旋杆上端外壁通过扭簧连接有输送环,输送环顶面固定连接有夹环,夹环套入有连接带,两个连接带远离螺旋杆的一端固定连接一个夹环,通过输送机构的设置,使容器能够在合成槽外部进行放置和取出,得合成工艺中的容器放置和取出更加方便,另外避免使用者身体对装置的探入,从而避免装置故障误启动导致的安全问题,提高了装置的安全性。

基本信息
专利标题 :
一种MPCVD金刚石高效合成工艺及其装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN113058506A
申请号 :
CN202110307373.3
公开(公告)日 :
2021-07-02
申请日 :
2021-03-23
授权号 :
CN113058506B
授权日 :
2022-05-20
发明人 :
刘宏明林琳
申请人 :
湖州中芯半导体科技有限公司
申请人地址 :
浙江省湖州市高新区中横港路33号2号厂房5号
代理机构 :
北京华际知识产权代理有限公司
代理人 :
黄永兰
优先权 :
CN202110307373.3
主分类号 :
B01J3/06
IPC分类号 :
B01J3/06  
IPC结构图谱
B
B部——作业;运输
B01
一般的物理或化学的方法或装置
B01J
化学或物理方法,例如,催化作用或胶体化学;其有关设备
B01J3/00
利用低于或高于大气压力使物质发生化学或物理变化的方法;其有关设备
B01J3/06
应用超高压方法,例如,用于生成金刚石;其设备,例如塑模或挤压模
法律状态
2022-05-20 :
授权
2021-07-20 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : B01J 3/06
申请日 : 20210323
2021-07-02 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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