一种金刚石及其合成工艺
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种金刚石及其合成工艺，包括如下步骤：S1.选择表面平整的单晶金刚石作为籽晶，其生长表面为(100)面，对生长面进行抛光处理。S2.对籽晶进行清洗处理，然后放入微波等离子体化学气相沉积设备腔体中；S3.向腔体通入H2，H2流量为100‑1000标准毫升/分钟，对籽晶进行刻蚀；S4.刻蚀完成后，向腔体通入碳源，碳源与H2体积比为1％‑12％，进行稳定的生长，每稳定生长50‑199小时，将碳源浓度降低0.1％‑0.5％，其他工艺参数保持不变，直至生长到目标厚度。本发明中通过阶段性控制碳源浓度的方法，维持设备长时间的稳定运行，可一次性生长至目标厚度，且可以保证生长出的金刚石产品达到低缺陷密度、光学性能均匀一致。
基本信息
专利标题 ：
一种金刚石及其合成工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114318529A
申请号 ：
CN202111423495.5
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-11-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
彭国令苗建国曹光宇冯文强范旅龙
申请人 ：
长沙新材料产业研究院有限公司
申请人地址 ：
湖南省长沙市岳麓区枫林三路217号航天大院内15号办公室
代理机构 ：
武汉智汇为专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
李恭渝
优先权 ：
CN202111423495.5
主分类号 ：
C30B29/04
IPC分类号 ：
C30B29/04 C23C16/27 C30B25/20
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/02
元素
C30B29/04
金刚石
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 29/04
申请日 : 20211126
申请日 : 20211126
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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