高频LLC谐振变换器最优死区计算方法、变死区控制方法
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摘要
本发明公开了一种高频LLC谐振变换器最优死区计算方法、变死区控制方法，属于开关电源数字控制领域。本发明考虑不同工况下功率器件的寄生参数，精确的计算出原边功率管寄生电容充放电的时间，进而得到最优死区时间，使得在最优死区时间内，功率管的寄生电容刚好完成充放电，减小功率管截止状态反向导通的时间，从而减小反向导通损耗，提高高频LLC谐振变换器的效率，可适用于不同功率等级，不同拓扑结构(全桥或半桥结构)，不同谐振频率的LLC谐振变换器，适用范围广，可靠性高。将本发明方法应用于由GaN MOSFET构成原边功率管构成的谐振变换器时，能够显著降低反向导通损耗，随着GaN第三代半导体器件的大规模应用，本发明方法具有广泛的实用价值。
基本信息
专利标题 ：
高频LLC谐振变换器最优死区计算方法、变死区控制方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112994472A
申请号 ：
CN202110389383.6
公开（公告）日 ：
2021-06-18
申请日 ：
2021-04-12
授权号 ：
CN112994472B
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
童乔凌姜宇航闵闰李林凯李启东
申请人 ：
华中科技大学
申请人地址 ：
湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
代理机构 ：
华中科技大学专利中心
代理人 ：
夏倩
优先权 ：
CN202110389383.6
主分类号 ：
H02M3/335
IPC分类号 ：
H02M3/335
法律状态
2022-06-14 ：
授权
2021-07-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H02M 3/335
申请日 : 20210412
申请日 : 20210412
2021-06-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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