具有晶圆间接合结构的存储装置
实质审查的生效
摘要
本发明提供具有晶圆间接合结构的存储装置。一种存储装置包括：单元晶圆，在其一个表面上具有第一焊盘；以及外围晶圆，其接合到所述单元晶圆的所述一个表面，并且具有联接到第一焊盘的第二焊盘。所述单元晶圆包括：存储单元阵列；联接至所述存储单元阵列的第一位线和第二位线；以及位线选择电路，其配置成将所述第一位线和所述第二位线中的一者联接到所述第一焊盘。所述外围晶圆包括：页缓冲器低电压电路，其包括与所述第一位线对应的第一页缓冲器低电压单元以及与所述第二位线对应的第二页缓冲器低电压单元；以及页缓冲器高电压电路，其配置成将所述第一页缓冲器低电压单元和所述第二页缓冲器低电压单元中的一者联接到所述第二焊盘。
基本信息
专利标题 ：
具有晶圆间接合结构的存储装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114446984A
申请号 ：
CN202110422696.7
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2021-04-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
崔齐玹吴星来蔡洙悦
申请人 ：
爱思开海力士有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 ：
张美芹
优先权 ：
CN202110422696.7
主分类号 ：
H01L27/1157
IPC分类号 ：
H01L27/1157 H01L27/11573 H01L27/11575 H01L27/11582 H01L27/11524 H01L27/11529 H01L27/11548 H01L27/11556
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/1157
申请日 : 20210416
申请日 : 20210416
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
