具有嵌置在盖层中的缓冲层的封装结构
公开
摘要
一种封装结构，包括衬底、加强环、偏心管芯、盖层及缓冲层。加强环设置在所述衬底上。所述加强环具有内周界以包围出容置区域。所述偏心管芯设置在所述容置区域内的所述衬底上。所述偏心管芯偏离所述容置区域的中心以靠近所述加强环的第一侧。所述盖层设置在所述加强环上且上覆在所述偏心管芯上。所述缓冲层嵌置在所述加强环的所述第一侧与所述偏心管芯之间的所述盖层中。所述缓冲层的厚度小于所述盖层的厚度。
基本信息
专利标题 ：
具有嵌置在盖层中的缓冲层的封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628336A
申请号 ：
CN202110435384.X
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2021-04-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
叶书伸林昱圣游明志林柏尧郑心圃
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 ：
南京正联知识产权代理有限公司
代理人 ：
顾伯兴
优先权 ：
CN202110435384.X
主分类号 ：
H01L23/10
IPC分类号 ：
H01L23/10 H01L23/24 H01L23/367 H01L25/18 H01L21/52
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/02
容器；封接
H01L23/10
按部件间，例如在容器的帽盖和基座之间或在容器的引线和器壁之间的封接的材料或配置的特点进行区分的
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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