基于Fano共振耦合谐振腔太赫兹波导传感器件及其制备方法
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摘要

本发明属于太赫兹亚波长结构传感技术领域,提供了一种基于Fano共振耦合谐振腔太赫兹波导传感器件及其制备方法。其中,基于Fano共振耦合谐振腔太赫兹波导传感器件包括衬底和波导传感单元,波导传感单元设置在衬底上,波导传感单元包括波导、矩形谐振腔及金属墙,所述矩形谐振腔以垂直于波导的方向直接连接在波导一侧,所述金属墙设置在矩形谐振腔一侧设定距离处的波导介质中,所述金属墙的中心设有孔径;所述矩形谐振腔的方向与电场偏振方向保持平行,波导的输入端用于接收太赫兹波,以使得太赫兹波在传输过程中满足共振条件时,产生Fano共振。其采用金属‑介质‑金属波导耦合谐振腔结构实现了尖锐的Fano共振、高Q因子、高灵敏度的折射率传感应用。

基本信息
专利标题 :
基于Fano共振耦合谐振腔太赫兹波导传感器件及其制备方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN113295647A
申请号 :
CN202110523291.2
公开(公告)日 :
2021-08-24
申请日 :
2021-05-13
授权号 :
CN113295647B
授权日 :
2022-04-12
发明人 :
时彦朋李美坪刘笑宇宋金梅
申请人 :
山东大学
申请人地址 :
山东省济南市高新区舜华路1500号
代理机构 :
济南圣达知识产权代理有限公司
代理人 :
张庆骞
优先权 :
CN202110523291.2
主分类号 :
G01N21/41
IPC分类号 :
G01N21/41  
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IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N21/00
利用光学手段,即利用亚毫米波、红外光、可见光或紫外光来测试或分析材料
G01N21/17
入射光根据所测试的材料性质而改变的系统
G01N21/41
折射率;影响相位的性质,例如光程长度
法律状态
2022-04-12 :
授权
2021-09-10 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01N 21/41
申请日 : 20210513
2021-08-24 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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