利用辅助导电层形成PCB工程化热路径的装置和方法
公开
摘要
本公开涉及利用辅助导电层形成PCB工程化热路径的装置和方法。方法包括分别在PCB的顶面和底面上形成第一和第二辅助导电层；从顶面铣削或激光钻孔PCB以形成延伸到PCB中的第一空腔；通过使用水平或垂直敷镀系统用第一金属来化学镀包括顶面和第一空腔的第一侧；通过使用水平或垂直敷镀系统用第二金属来电镀第一侧以在PCB的第一暴露表面上形成第一敷镀层并填充第一空腔；从底面铣削或激光钻孔PCB以形成延伸到PCB中的第二空腔，第一空腔与第二空腔热连通和/或电连通；用第一金属来化学镀包括底面和第二空腔的第二侧；以及通过使用水平或垂直敷镀系统用第二金属来电镀第二侧以在PCB的第二暴露表面上形成第二敷镀金属层并填充第二空腔。
基本信息
专利标题 ：
利用辅助导电层形成PCB工程化热路径的装置和方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114615807A
申请号 ：
CN202110526621.3
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2021-05-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
M·尼利M·冷梁敬业
申请人 ：
迅达科技公司
申请人地址 ：
美国密苏里州
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
申屠伟进
优先权 ：
CN202110526621.3
主分类号 ：
H05K3/00
IPC分类号 ：
H05K3/00 H05K3/42 H05K1/02
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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