减轻行锤击的存储器装置和使用其的半导体系统
实质审查的生效
摘要
本公开涉及减轻行锤击的存储器装置和使用其的半导体系统。存储器装置可以包括行锤击控制电路。行锤击控制电路可以通过监测访问存储单元阵列的存储体的间隔来生成多个选择控制信号。行锤击装置可以基于多个选择控制信号将用于执行刷新操作的阈值设置为多个值中的一个。
基本信息
专利标题 ：
减轻行锤击的存储器装置和使用其的半导体系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114464224A
申请号 ：
CN202110570414.8
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2021-05-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郑元敬
申请人 ：
爱思开海力士有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京弘权知识产权代理有限公司
代理人 ：
许伟群
优先权 ：
CN202110570414.8
主分类号 ：
G11C11/406
IPC分类号 ：
G11C11/406 G11C11/4063
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的，例如：应用多孔磁芯存储器；应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
应用电元件的
G11C11/34
应用半导体器件的
G11C11/40
应用晶体管的
G11C11/401
形成需要刷新或电荷再生的单元的，即，动态单元的
G11C11/406
刷新或电荷再生周期的管理或控制
法律状态
2022-05-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 11/406
申请日 : 20210525
申请日 : 20210525
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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