一种钙钛矿吸光层材料及方法
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摘要
本发明提供一种钙钛矿吸光层材料及方法，其包括CsSnI3钙钛矿材料，并且还包含有增强材料，增强材料为石墨烯和SnF2的掺杂物。在制备方法中，在石墨烯片上通过浸渍法负载得到有SnF2的石墨烯片；通过真空热蒸发沉积的方式制得负载CsI薄膜的二次基片，然后以CsI薄膜为基础再次沉积得到SnI2薄膜负载的结构；以得到具有掺杂SnF2石墨烯片的CsSnI3钙钛矿薄膜材料通过石墨烯和SnF2的掺杂物的加入，使得CsSnI3钙钛矿材料转换效率得到了明显的提升，并且这种转换效率高于单独的CsSnI3钙钛矿材料和掺杂SnF2的CsSnI3钙钛矿材料；另外，这种材料中不使用对于环境具有破坏作用的铅元素，极大地提高了这种材料的安全性和环境保护作用，具有很好的应用价值。
基本信息
专利标题 ：
一种钙钛矿吸光层材料及方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113421934A
申请号 ：
CN202110663796.9
公开（公告）日 ：
2021-09-21
申请日 ：
2021-06-16
授权号 ：
CN113421934B
授权日 ：
2022-05-03
发明人 ：
宗迎夏刘玉梅宗成中
申请人 ：
青岛科技大学
申请人地址 ：
山东省青岛市崂山区松岭路99号
代理机构 ：
山东重诺律师事务所
代理人 ：
林婷
优先权 ：
CN202110663796.9
主分类号 ：
H01L31/032
IPC分类号 ：
H01L31/032 H01L31/04 H01L31/18
法律状态
2022-05-03 ：
授权
2021-10-12 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/032
申请日 : 20210616
申请日 : 20210616
2021-09-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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