原子级助剂修饰的CuO复合介晶催化剂及其制备方法

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摘要

本发明公开了一种原子级助剂修饰的CuO复合介晶催化剂，其包括主催化剂CuO介晶和单原子助剂M1或双单原子助剂M1、M2，且M1、M2均以单原子分散的状态存在，其中，所述M1选自Zn、Zr、Ti、Mn、Fe、Co、Ni、Sn、In、Ce、Ru、Pd、Au、Pt、Rh中的任意一种，所述M2选自Ni,Au,Pt或Pd中的任意一种。本发明原子级助剂修饰的CuO复合介晶催化剂，具有优异的催化性能，用于硅粉与HCl为原料的硅氢氯化反应，能够实现对三氯氢硅和四氯化硅的选择性调控合成，同时降低了反应温度和能耗，并提高了产物收率和硅粉转化率。

基本信息

专利标题：

原子级助剂修饰的CuO复合介晶催化剂及其制备方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN113559862A

申请号：

CN202110684524.7

公开（公告）日：

2021-10-29

申请日：

2021-06-21

授权号：

CN113559862B

授权日：

2022-04-22

发明人：

纪永军陈晓丽纪建军张煜诸葛骏豪赵晨

申请人：

北京工商大学;广盛原中医药有限公司;北京石油管理干部学院

申请人地址：

北京市海淀区阜成路11号耕耘楼724室

代理机构：

北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

曲进华

优先权：

CN202110684524.7

主分类号：

B01J23/825

IPC分类号：

B01J23/825 B01J23/835 B01J23/89 B01J35/00 C01B33/107